中硅高科兩項半導體材料科技成果獲評國際領先
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發(fā)布時間：2026年05月21日
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近日，中硅高科牽頭完成的兩項半導體材料技術通過院士專家組評審，整體達到國際領先水平。
其中，“寬禁帶半導體用超高純碳化硅材料制備關鍵技術”首創(chuàng)氣相法工藝，建成國內(nèi)首條年產(chǎn)300噸生產(chǎn)線，整體達到國際領先水平?！凹呻娐酚秒娮蛹壛纫夜柰橹苽潢P鍵技術”整體達到國際先進水平，顆粒度控制達到國際領先水平。這標志著我國第三代半導體及高純電子特氣領域國產(chǎn)化實現(xiàn)重大突破。
